环球新消息丨2023全球存储芯片制造商现状与价格行情

韩国国际贸易协会(KITA)周二公布的数据显示，今年第一季度韩国出口同比下降12.6%，至1515亿美元。主要由于芯片出口疲软。

报告显示，今年第一季度，芯片和其他中间产品的出口下降了19.5%，与去年同期9%的增长相比出现了急剧转变。特别是芯片出口同比减少了40%，钢铁出口减少了15.8%。

(资料图片仅供参考)

今年第一季度，韩国对中国的出口比去年同期下降了近30%，对越南和日本的出口也分别减少了25.2%和10.1%。

2023全球存储芯片市场状况与供需局面

由于存储芯片市场持续低迷，韩国芯片制造巨头、苹果供应商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了创纪录的季度运营亏损。不过该公司表示，各大存储芯片制造商减产后，将从今年下半年开始改善市场状况。

这家全球第二大存储芯片制造商公布，今年一季度营业亏损3.4万亿韩元(合25.4亿美元)，上年同期盈利2.9万亿韩元。这一结果符合分析师的预期。

这是SK集团自2012年收购海力士以来的最大亏损，也是继去年第四季度亏损1.9万亿韩元后，连续两个季度出现亏损。

财报显示，该公司一季度营收同比下降58%，至5.1万亿韩元。

SK海力士表示，公司亏损进一步扩大，主要是因为全球经济放缓令第一季度存储芯片供过于求的局面恶化，导致价格下跌。

尽管SK海力士录得创纪录亏损，但由于公司表示未来存储芯片市场将反弹，该公司股价周三早盘录得上涨，目前上涨约3%。

存储芯片的价格周期

从DRAM的价格周期看，自2012 年至今DRAM已经经历了三轮周期。

*轮周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2为周期上行，主要驱动力为智能手机爆发，对 DRAM 的需求增长;2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因为各厂商扩产落地导致供大于求。

第二轮周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驱动力为主要的存储芯片厂商转移产能至3D NAND Flash，DRAM 无扩产计划;2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中国和美国贸易摩擦导致全球下游需求萎靡，服务器、PC、笔记本电脑等需求不佳，DRAM供过于求。

第三轮周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2为周期上行，主要驱动力为疫情下，线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增， 5G 手机升级驱动单机容量升级，带动 DRAM 价格回升。2021年Q3至今为周期下行，原因是随着智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存。

NAND Flash与DRAM的价格周期波动情况相似，自2012年至今也经历了三轮周期。

根据中研普华研究院《2023-2028年国内存储设备行业发展趋势及发展策略研究报告》显示：

从2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash两大内存芯片价格已经下跌长达20个月。各存储芯片厂商正在集中减产、应对库存问题、节约资本开支，并推迟先进技术的进展，以应对存储器需求的疲软。

为了应对 3DNAND 和 DRAM 内存需求放缓的问题，美光宣布将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，除此之外，美光还宣布将在2023年削减30%的资本开支。

SK 海力士也宣布削减2023年的资本支出50%以上，并对收益较低的存储产品进行减产。随后在今年年初，有台媒报道SK海力士已调降供国内设施使用的晶圆产量10%。

铠侠也做出了减产动作，调整日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂的生产，晶圆生产量将减少约30%。

西部数据宣布NAND闪存产量减少30%。

就在近日，三星一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产。三星电子表示，将把内存芯片产量削减至“合理水平”，主要以PC内存“DDR4”等通用产品为中心推进。

随着各家存储器大厂纷纷大幅减产，存储芯片供给端过剩现象将进一步改善。近期，从海外三大存储巨头的预测来看，市场情况正在出现微妙变化。

据美光透露，存储芯片库存已至高点，后续有望迎来行业拐点。虽然目前存储价格仍在下行，但厂商库存压力已达到峰值，后续有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股东大会上也透露，预计存储芯片需求将在今年下半年复苏，但不确定性依旧存在，公司今年资本开支将减半，不会进一步减产。

铠侠也认为随着今年中国经济全面重启，客户库存水平逐季降低，市场需求将于今年下半年复苏。

在近日召开的CFMS 2023峰会上，中国存储龙头长江存储的首席运营官程卫华在演讲中也提到，得益于智能手机、服务器和个人电脑制造商的需求订单，全球NAND闪存市场的供需将在今年下半年达到平衡。

国产存储芯片扩展到了8Gb

国产芯片又传来好消息，近日，存储芯片企业江波龙表示，其自主研发了SLC闪存芯片，容量从512Mb扩展到了8Gb。

目前，存储芯片中DRAM与闪存合计占比达到了95%，其中DRAM占比为52%，闪存芯片中，NAND占40%，NOR3%。

NOR闪存与NAND闪存有很大的区别，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小，主要用来存储代码及少量数据，比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用来存储资料。

那么今天我们要说的就是NAND闪存。

NAND闪存芯片又通常分为SLC、MLC、TLC以及QLC四种，他们之间有一定区别，各有优缺点。

其中的SLC=Single-Level Cell，其优点是速度快、寿命长，约10万次擦写寿命，缺点是价格贵，成本约是MLC的3倍以上。

MLC=Multi-Level Cell，速度和寿命一般，约3000-10000次擦写寿命，价格也一般。

TLC=Trinary-Level Cell，速度慢、寿命短，约1500-3000次擦写寿命，价格便宜。

QLC=Quad-Level Cell，速度慢、寿命短，约500-1000次擦写寿命，但成本最低。

在机械硬盘中磁道是存储的构建块，而在固态硬盘中，相同的功能则由单元提供，单元本质上是一个门电路。每个单元可以存储多少取决于固态硬盘使用的单元类型，也就是SLC单层单元、MLC两层单元、TLC三层单元和QLC四层单元。换句话说，SLC每个单元只能存储一位，MLC能存储两个，TLC存储三个，QLC存储四个。表面上是一种越大越好的情况，但实际并非如此。

例如，虽然使用QLC可以增加容量，但对于相同的存储量，它需要的单元数是SLC的1/4。二将多个位写入单个单元需要更多时间，这样就会影响固态硬盘的耐用性，这意味着SLC实际上是最快同时也最可靠的，但也要贵多。

具体到实际产品种，U盘一般采用TLC芯片。

固态硬盘中，主流的都采用MLC颗粒，价格适中，速度与寿命相对较好。但价格较低的固态硬盘，普遍采用TLC芯片颗粒，速度和寿命都一般。

《2023-2028年国内存储设备行业发展趋势及发展策略研究报告》由中研普华研究院撰写，本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析，重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力，以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态，对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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